刘超, 山东大学微电子学院/晶体材料国家重点实验室教授、博士生导师、齐鲁青年学者、山东省高层次人才。2016年博士毕业于香港科技大学，获电子与计算机工程学博士学位, 2016年至2019年在瑞士洛桑联邦理工学院从事博士后研究。主要研究兴趣是第三代宽禁带半导体材料与器件, 包括III族氮化物半导体的MOCVD外延生长、先进器件制备工艺以及单片集成模块的开发等。从事宽禁带半导体GaN材料与器件研究十余年, 有数项工作为世界首创及国际领先, 包括首枚硅基GaN垂直结构MOSFET以及单片集成的GaN光电/功率模块, 报道了世界最高击穿电压的硅基GaN垂直结构P-i-N二极管以及肖特基二极管。迄今为止, 在本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Optics Letters, 以及功率半导体顶级会议ISPSD等共发表论文70余篇, 申请/授权发明专利10余项，其研究成果被IEEE Spectrum、Semiconductor Today、Compound Semiconductor等国际产业杂志亮点报道十余次。主持十余项国家级、省部级以及公司横向课题，担任国家自然科学基金、波兰国家科学中心基金会、山东省自然科学基金、山东省工信厅、广东省自然科学基金、教育部高校博士论文、青年长江、深圳市科创委评审人，以及十余个半导体材料与器件领域权威期刊审稿人、客座编辑与编委。主讲《电路基础》本科生课程以及《Compound Semiconductor Materials and Devices》全英文国际化研究生课程。