学历要求：

本科、硕士、博士

研究方向：

碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、氮化铝等宽禁带/超宽禁带半导体材料生长及加工技术；半导体光电、电力电子器件制备工艺；功率芯片封装、测试技术。

专业要求 ：

研究领域包括但不限于：

 • 材料科学与工程
 • 材料物理与化学
 • 晶体物理
 • 晶体器件
 • 半导体物理、材料与器件
 • 半导体材料与器件
 • 新一代半导体材料与器材料

岗位描述：

（1）掌握半导体物理、功率器件、晶体材料等基础理论知识；
（2）熟悉功率器件的版图和制备工艺设计，进行功率器件的仿真、测试、分析和优化；
（3）进行宽禁带半导体温场设计仿真、单晶生长工艺优化、加工工艺改进；
（4）具备功率器件、晶体材料等新产品和新技术开发等经验者优先。

职业发展：

行业专家带队+1对1导师指导+定期培训+人性化团队管理