培养目标：
掌握本学科领域坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识；掌握本学科的科学实验方法和技能；熟练地掌握一门外国语，具有国际学术交流能力；具有独立地、创造性地从事科学研究的能力，并有良好的合作精神和较强的交流能力；能够在科学研究或专门技术上做出创造性的成果；能够独立从事集成电路科学与工程及相关领域的科学研究工作。
研究方向及研究内容：
1、集成电路设计
主要研究高性能处理器、系统级SoC芯片及设计技术。研究内容包括：
（1）高性能处理器体系架构、内核微架构、多核高速互联总线设计
（2）IP及系统芯片（SoC）设计技术
（3）数模混合集成电路设计
（4）集成电路验证与测试技术
（5）高可靠与安全设计
2、新一代半导体材料与器件
主要研究新一代半导体材料、器件及集成。研究内容包括：
（1）新一代半导体单晶衬底材料及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究
（2）宽禁带半导体材料外延生长及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究
（3）宽禁带半导体器件及集成
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究
1、集成电路设计
主要研究高性能处理器、系统级SoC芯片及设计技术。研究内容包括：
（1）高性能处理器体系架构、内核微架构、多核高速互联总线设计
（2）IP及系统芯片（SoC）设计技术
（3）数模混合集成电路设计
（4）集成电路验证与测试技术
（5）高可靠与安全设计
2、新一代半导体材料与器件
主要研究新一代半导体材料、器件及集成。研究内容包括：
（1）新一代半导体单晶衬底材料及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究
（2）宽禁带半导体材料外延生长及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究
（3）宽禁带半导体器件及集成
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究
研究方向及研究内容：
1、材料设计与新材料探索
2、材料的组成、晶体结构、缺陷与性能研究
3、半导体材料与器件
4、低维无机非金属材料
5、半导体材料物理与化学
研究方向及研究内容：
培养材料与化工工程专业高素质工程技术高层次专业人才
