培养目标：
掌握本学科领域坚实的基础理论和系统的专门知识，掌握本学科的科学实验方法和技能；较好地掌握一门外国语，具有一定的国际学术交流能力；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力，在科学研究或工程技术工作中具有一定的组织和管理能力，有良好的合作精神和较强的交流能力；能够胜任集成电路科学与工程及相关领域的科学研究工作。
研究方向及研究内容：
1、集成电路设计
主要研究高性能处理器、系统级SoC芯片及设计技术。研究内容包括：
（1）高性能处理器体系架构、内核微架构、多核高速互联总线设计
（2）IP及系统芯片（SoC）设计技术
（3）数模混合集成电路设计
（4）集成电路验证与测试技术
（5）高可靠与安全设计
2、新一代半导体材料与器件
主要研究新一代半导体材料、器件及集成。研究内容包括：
（1）新一代半导体单晶衬底材料及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究
（2）宽禁带半导体材料外延生长及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究
（3）宽禁带半导体器件及集成
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究
培养目标：
熟练掌握集成电路设计的基本方法和流程，能够在从系统级到电路级的层次上对电路进行描述、设计与仿真。对通用EDA设计软件能熟练使用，能够进行单元电路从原理图到版图的设计。熟练掌握至少一门外国语，并掌握科学研究的一些基本技能和方法，具有从事高科技开发和独立担负专门技术工作的能力。
研究方向及研究内容：
1、集成电路设计
主要研究高性能处理器、系统级SoC芯片及设计技术。研究内容包括：
（1）高性能处理器体系架构、内核微架构、多核高速互联总线设计
（2）IP及系统芯片（SoC）设计技术
（3）数模混合集成电路设计
（4）集成电路验证与测试技术
（5）高可靠与安全设计
2、新一代半导体材料与器件
主要研究新一代半导体材料、器件及集成。研究内容包括：
（1）新一代半导体单晶衬底材料及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究
（2）宽禁带半导体材料外延生长及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究
（3）宽禁带半导体器件及集成
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究
培养目标：
结合材料科学与工程学科实际，培养具有本学科扎实系统的理论基础，具备从事科学研究和知识创新能力并在相应学科领域产出具有先进性的创新成果的硕士研究生。为高等院校和科研院所培养富有潜质的研究型人才、或为高新技术企业输送高质量的工程技术型人才。
研究方向及研究内容：
1、材料设计与新材料探索
2、材料的组成、晶体结构、缺陷与性能研究
3、半导体材料与器件
4、低维无机非金属材料
5、半导体材料物理与化学
培养目标：
培养德智体美劳全面发展的高层次应用研究型或工程技术型人才，为科研院所、高等院校选送富有潜质的应用研究型人才或为高新技术企业输送优秀的工程技术型人才。
研究方向及研究内容：
不区分研究方向
